貴金屬被膜形成

電鍍裝置

提供採用先進電鍍技術的高性能電鍍裝置。

可以配合從量產系統到實驗、少量生產的各種晶圓電鍍裝置。追求與化學製程之間協調的整體系統,針對日漸發展的大口徑、細微化技術也能以高性能來對應。

對應300mm晶圓的電鍍系統

對應自動化生產線的量產型全自動機 POSFER 300

POSFER300
  • 可直接安裝於300mm自動化生產線
  • 擁有大口徑晶圓之高搬運功能的量產機種
  • 對應SEMI、CE標章
  • 對應晶圓 : 300mm

對應晶圓凸塊的電鍍系統

量產型全自動機 POSFER C Series

POSFERC12
  • 可配合生產計畫增設設計
  • 導出高品質析出物的製程控制功能
  • 可任意設定自動/手動等的高操作性
  • 對應晶圓 : 100~200mm

對應CSP、通孔、MEMS的電鍍系統

量產型全自動小型機 POSFER E

POSFER E
  • 將設備體積縮小40%(與本公司原有設備相比)
  • 搭載了在CUP內具有槳式攪拌構造的Stir-Cup
    (最適合用於凸塊、通孔、重新配線、W-CSP、MEMS)
  • 對應晶圓 : 100~200mm

對應Wafer LevelCSP的電鍍系統

量產型全自動機(形成多層膜) POSFER M

POSFER M
  • 可進行多層電鍍的全自動型
  • 能夠以模組為單位來增設設計
  • 對應晶圓 : 100~200mm

可以配合實驗、少量生產的電鍍系統

實驗、少量生產用半自動機 Stir CUP-PLATER/CUP-PLATER

Stir CUP-PLATER/CUP-PLATER
  • 可配合實驗試作階段到量產規模等用途的系統建構
  • 半自動型才有的維護性與實用性
  • 對應晶圓 : 100~300mm

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